IRF530NPBF英飞凌场效应管中文资料

发布时间2024-3-20 12:07:00关键词：IRF530

摘要

勤尚伟业现货供应 IRF530NPBF品牌英飞凌数量6000 ，批号23+

IRF530NPBF主要参数，PDF资料，数据手册

制造商产品型号：IRF530NPBF

制造商：英飞凌半导体（Infineon）

描述：MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：HEXFET?

零件状态：有源

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

25°C时电流-连续漏极(Id)：17A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：90 毫欧 @ 9A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：37nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：920pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：70W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

器件封装：TO-220AB

深圳市勤尚伟业电子有限公司

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