IRF530NPBF英飞凌 场效应管 中文资料
发布时间2024-3-20 12:07:00关键词:IRF530
摘要
勤尚伟业现货供应 IRF530NPBF品牌英飞凌数量6000 ,批号23+
IRF530NPBF主要参数,PDF资料, 数据手册制造商产品型号:IRF530NPBF制造商:英飞凌半导体(Infineon)描述:MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:HEXFET?零件状态:有源FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):100V25°C时电流-连续漏极(Id):17A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):90 毫欧 @ 9A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):37nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):920pF @ 25VFET功能:-功率耗散(最大值):70W(Tc)工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:通孔器件封装:TO-220AB